天科合达与英飞凌签订碳化硅材料长期供货协议
发布时间:2023-05-12 | 发布者： 东东工作室 | 浏览次数： 次5月4日消息，英飞凌科技股份公司（后称“英飞凌”）5月3日官网发布消息，公司与中国碳化硅材料供应商北京天科合达半导体股份有限公司（简称“天科合达”）签订了一份长期供货协议，天科合达将为英飞凌供应用于生产SiC半导体的6英寸碳化硅材料，其供应量占到英飞凌未来长期预测需求的两位数份额。
公开信息显示，英飞凌是国际知名的半导体公司。此前，英飞凌制订了远景目标，表示将在2030年达成30%全球SiC市场份额。
天科合达股东包括深创投、中科创星、国家集成电路产业投资基金、哈勃科技投资基金、比亚迪、宁德时代、润科基金等。公司成立于2006年，成立之初的主要技术源自中科院物理研究所，主要产业化支持资金来源于新疆天富集团。在导电衬底领域，天科合达在2021年国际市场占有率排名第四。
据介绍，英飞凌位于马来西亚居林的碳化硅工厂计划于2024年投产，预计天科合达将会有效保证该厂的碳化硅晶圆供应。
中科院物理研究所碳化硅团队负责人、天科合达首席科学家陈小龙表示，碳化硅是引领第三代半导体产业发展的重要材料，具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、导热性能等优势，特别适合于做大功率、耐高温、耐高压的半导体器件。未来碳化硅器件将会覆盖更高电压等级器件，可应用于轨道交通和智能电网等领域。
陈小龙提到，碳化硅（SiC）晶体生长极其困难，上世纪90年代只有少数发达国家掌握SiC晶体生长和加工技术，我国起步较晚。为推动SiC晶体国产化，避免我国宽禁带半导体产业被“卡脖子”，团队从1999年开始，从基础研究到应用研究，自主研发突破了从生长设备到高质量SiC晶体生长和加工等关键技术，形成了具有自主知识产权的完整技术路线，进而推动国内第一家SiC晶体产业化公司北京天科合达成立。
对于这次签约，陈小龙表示，国际碳化硅器件厂商与材料厂签订长约，一直是普遍的做法，英飞凌锁定天科合达的部分产能，即有利于推动天科合达技术进步，也巩固了英飞凌的供应链系统，是一个双赢的选择。“目前物理所研发团队还关注碳化硅液相法晶体生长技术，希望基础研究上跟进一步，为其产业化发展奠定基础。”（一橙）
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